该项目技术研发涵盖碳化硅功率模块、高可靠性电子控制系统及混合动力驱动系统。爱仕特着力研发碳化硅功率器件的关键封装及测试、驱动和结温保护等技术，重点开发碳化硅驱动，实现门极震荡的抑制、快速精准的保护性能。

相较于传统硅基器件，碳化硅（SiC）功率器件具有耐高压、耐高温、抗辐射、散热能力佳、更低的导通损耗和开关损耗、更高的开关频率、可减小模块体积等特性，在高压系统中有望快速替代，从而大幅提高汽车性能并优化整车架构，使新能源汽车具有更低的成本、更长的续航里程、更紧凑的空间设计以及更高的功率密度。

▲碳化硅的性能优势

此项目的成功立项充分展示了我司的研发实力和创新能力，同时也表明了爱仕特研发项目在业界具有较高的核心竞争力。

爱仕特始终坚持以技术创新为导向，持续提供高质量碳化硅（SiC）功率器件。目前公司已量产650V、1200V、1700V、3300V等不同电压等级的碳化硅MOSFET（51款）和功率模块（66款），以及基于碳化硅（SiC）功率器件的整机应用系统解决方案，产品性能达到国际先进水平，服务于新能源汽车、光伏储能、消费电子等领域的全球数百家客户。

未来，爱仕特将继续发挥技术优势和品牌优势，携手产业链上下游共同进步，推动国产碳化硅产业高质量发展。