产品系列
爱仕特科技提供以SiC为核心的功率转换解决方案，
适用于：新能源汽车及充电桩、新能源发电、工业电源、PD快充等领域。
· 爱仕特新一代芯片技术 · 已通过第三方AEC-Q101标准测试 · 可实现量产供货
TO-247-3
TO-247-4
TOLL
PDFN5*6
TO-263-7
PDFN88
SOT227
Product SKU
ASC100N1200MT4PB
ASC30N1200MT3
160mΩ
RDS(on) @25℃
ID
VGS
Package
Status
Datasheet
1. 采用全焊片工艺，Cu底板+低热值AlN绝缘陶瓷； 2. 高功率密度，低寄生电感，低开关损耗； 3. 适用高温、高频应用；
4. 参数表现：
VDS：650~1700V
ID：30~300A
RDS(on) ：4~80mΩ
34mm模块特点
62mm模块特点
- VDS：650~1700V
- ID：30~600A
- RDS(on) ：2~80mΩ
1. 系统体积小，成本降低
2. 高功率密度，低寄生电感，低开关损耗；
3. 散热能力强。
D21模块特点
DCS12模块特点
1. 采用单面水冷+模封工艺，最高工作结温175℃；
2. 功率密度高，适用高温、高频应用，超低损耗；
3. 集成NTC温度传感器，易于系统集成；
- ID：400~800A
- RDS(on) ：1.5~6.2mΩ
EP模块特点
1. 采用先进的真空回流焊工艺，Al2O3绝缘陶瓷，最高工作结温150℃；
3. 适用高温、高频应用；
4. 集成NTC温度传感器，易于系统集成；
5. 参数表现：
- VDS：650~1200V
- ID：30~200A
- RDS(on) ：6~80mΩ
ASC200N650EP
ASC200N1200EP
ASR12N1200EP
ASR23N1200EP
MD3模块特点
1. 采用真空回流焊工艺，AlSiC底板+低热值AlN绝缘陶瓷，最高工作结温175℃；
2. 第三代模块寄生电感低于10nH，比现有模块小50%以上，降低开关损耗；
3. 适用高温、高频应用，超低损耗；
- ID：300~700A
- RDS(on) ：1.7~8.3mΩ
MED模块特点
1. 采用真空回流焊工艺，Cu底板+低热值AlN绝缘陶瓷，最高工作结温175℃；
2. 功率密度高,适用高温、高频应用，超低损耗；
4. 常关功率模块，零拖尾电流，寄生电感小于15nH，开关损耗低；
- ID：270~800A
- RDS(on) ：1.5~8.7mΩ
MEP模块特点
- ID：30~300A
- RDS(on) ：4~80mΩ
1. 最高工作结温175℃；
2. 高功率密度，低开关损耗；
- ID：100~300A
- RDS(on) ：3~25mΩ
MEK6模块特点
HPD模块特点
1. AlN+AlSiC散热，最高工作结温175℃；
3. 参数表现：
- RDS(on) ：1.5~6.5mΩ
· 自有车规级SiC模块工厂 · 已通过IATF 16949:2016体系认证 · 可实现量产供货
