62mm模块特点

1. 采用全焊片工艺，Cu底板+低热值AlN绝缘陶瓷；
2. 高功率密度，低寄生电感，低开关损耗；
3. 适用高温、高频应用；

4. 参数表现：

 - VDS：650~1700V

 - ID：30~600A

 - RDS(on) ：2~80mΩ

1. 系统体积小，成本降低

2. 高功率密度，低寄生电感，低开关损耗；

3. 散热能力强。

D21模块特点

DCS12模块特点

1. 采用单面水冷+模封工艺，最高工作结温175℃；

2. 功率密度高，适用高温、高频应用，超低损耗；

3. 集成NTC温度传感器，易于系统集成；

4. 参数表现：

 - VDS：650~1700V

 - ID：400~800A

 - RDS(on) ：1.5~6.2mΩ

EP模块特点

1. 采用先进的真空回流焊工艺，Al2O3绝缘陶瓷，最高工作结温150℃；

2. 高功率密度，低寄生电感，低开关损耗；

3. 适用高温、高频应用；

4. 集成NTC温度传感器，易于系统集成；

5. 参数表现：

 - VDS：650~1200V

 - ID：30~200A

 - RDS(on) ：6~80mΩ

MD3模块特点

1. 采用真空回流焊工艺，AlSiC底板+低热值AlN绝缘陶瓷，最高工作结温175℃；

2. 第三代模块寄生电感低于10nH，比现有模块小50%以上，降低开关损耗；

3. 适用高温、高频应用，超低损耗；

4. 集成NTC温度传感器，易于系统集成；

5. 参数表现：

 - VDS：650~1700V

 - ID：300~800A

 - RDS(on) ：1.7~8.3mΩ

MED模块特点

1. 采用真空回流焊工艺，Cu底板+低热值AlN绝缘陶瓷，最高工作结温175℃；

2. 功率密度高,适用高温、高频应用，超低损耗；

3. 集成NTC温度传感器，易于系统集成；

4. 常关功率模块，零拖尾电流，寄生电感小于15nH，开关损耗低；

5. 参数表现：

 - VDS：650~1700V

 - ID：270~900A

 - RDS(on) ：1.5~8.7mΩ

MEP模块特点

1. 采用先进的真空回流焊工艺，Al2O3绝缘陶瓷，最高工作结温150℃；

2. 高功率密度，低寄生电感，低开关损耗；

3. 适用高温、高频应用；

4. 集成NTC温度传感器，易于系统集成；

5. 参数表现：

 - VDS：650~1700V

 - ID：30~300A

 - RDS(on) ：4~80mΩ

1. 最高工作结温175℃；

2. 高功率密度，低开关损耗；

3. 适用高温、高频应用；

4.  参数表现：

 - VDS：650~1700V

 - ID：100~400A

 - RDS(on) ：3~25mΩ

MEK6模块特点

HPD模块特点

1. AlN+AlSiC散热，最高工作结温175℃；

2. 第三代模块寄生电感低于10nH，比现有模块小50%以上，降低开关损耗；

3. 参数表现：

 - VDS：650~1700V

 - ID：400~800A

 - RDS(on) ：1.5~6.5mΩ