相对于硅基器件，碳化硅（SiC）MOSFET具有更低的导通损耗、更快的开关速度和工作频率，适用于在更高效、更紧凑的应用场景。
TO-247-3
TO-247-4
TOLL
PDFN5*6
TO-263-7
PDFN88
SOT227
Product SKU
ASC100N1200MT4PB
ASC30N1200MT3
160mΩ
RDS(on) @25℃
ID
VGS
Package
Status
Data Sheet
TO-247-4L
SiC MOSFET
