SiC 功率模块

DCS12 系列碳化硅（SiC）功率模块

1. 采用单面水冷+模封工艺，最高工作结温175℃；

2. 功率密度高，适用高温、高频应用，超低损耗；

3. 集成NTC温度传感器，易于系统集成；

4. 参数范围：

    VDS：650~1700V

    ID：400~1000A

    RDS(on) ：1.3~6.2mΩ

碳化硅（SiC）功率模块，具有多种封装形式，有效助力系统实现更高效率、更紧凑的设计！