SiC 功率模块

HPD 系列碳化硅（SiC）功率模块

1. AlN+AlSiC散热，最高工作结温175℃；

2. 第三代模块寄生电感低于10nH，比现有模块小50%以上，降低开关损耗；

3. 参数范围：

    VDS：650~1700V

    ID：400~1000A

    RDS(on) ：1.3~6.5mΩ

碳化硅（SiC）功率模块，具有多种封装形式，有效助力系统实现更高效率、更紧凑的设计！