SiC 功率模块

MD3 系列碳化硅（SiC）功率模块

1. 采用真空回流焊工艺，AlSiC底板+低热值AlN绝缘陶瓷，最高工作结温175℃；

2. 第三代模块寄生电感低于10nH，比现有模块小50%以上，降低开关损耗；

3. 适用高温、高频应用，超低损耗；

4. . 参数范围：

    VDS：650~1700V

    ID：300~800A

    RDS(on) ：1.4~8.3mΩ

碳化硅（SiC）功率模块，具有多种封装形式，有效助力系统实现更高效率、更紧凑的设计！