SiC 功率模块

ME3 系列碳化硅（SiC）功率模块

1. 采用全焊片工艺，Cu底板+低热值AlN绝缘陶瓷；

2. 高功率密度，低寄生电感，低开关损耗；

3. 适用高温、高频应用；

4. . 参数范围：

    VDS：650~1700V

    ID：30~600A

    RDS(on) ：2~80mΩ

碳化硅（SiC）功率模块，具有多种封装形式，有效助力系统实现更高效率、更紧凑的设计！