SiC 功率模块

MED 系列碳化硅（SiC）功率模块

1. 采用真空回流焊工艺，Cu底板+低热值AlN绝缘陶瓷，最高工作结温175℃；

2. 功率密度高,适用高温、高频应用，超低损耗；

3. 常关功率模块，零拖尾电流，寄生电感小于15nH，开关损耗低；

4. . 参数范围：

    VDS：650~1700V

    ID：210~1000A

    RDS(on) ：1.3~8.7mΩ

碳化硅（SiC）功率模块，具有多种封装形式，有效助力系统实现更高效率、更紧凑的设计！