SiC MOSFET
相对于硅基器件，碳化硅（SiC）MOSFET具有更低的导通损耗、更快的开关速度和工作频率，适用于更高效、更紧凑的应用场景。
DT3PAK 系列碳化硅（SiC）MOSFET
1. 高开关速度，低开关损耗 ；
2. 高功率密度和紧凑设计；
3. 参数范围：
VDS：650V
ID：36~60A
RDS(on) ：30~60mΩ
