SiC MOSFET
相对于硅基器件,碳化硅(SiC)MOSFET具有更低的导通损耗、更快的开关速度和工作频率,适用于更高效、更紧凑的应用场景。
PDFN5*6 系列碳化硅(SiC)MOSFET
1. 高开关速度,低开关损耗 ;
2. 高功率密度和紧凑设计;
3. 参数范围:
VDS:650V
ID:8A
RDS(on) :320mΩ