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SiC MOSFET

相对于硅基器件,碳化硅(SiC)MOSFET具有更低的导通损耗、更快的开关速度和工作频率,适用于更高效、更紧凑的应用场景。

PDFN5*6 系列碳化硅(SiC)MOSFET

1. 高开关速度,低开关损耗 ;

 

2. 高功率密度和紧凑设计;

 

3. 参数范围:

    VDS:650V

    ID:8A

    RDS(on) :320mΩ

Product SKU VDS RDS(on) @25℃ ID VGS Status Data Sheet
ASR320N650MD56 650V 320mΩ 8A 12V Product PDF
ASR320N650MD56R 650V 320mΩ 8A 12V Product PDF

 


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深圳爱仕特科技有限公司

Shenzhen AST Technology Company

 

 

总部电话:+86 755-89300160
投资事务:赵女士 188 2995 7516

企业邮箱:icey.cong@astsic.com(产品咨询)

                  susie.he@astsic.com(展会及媒体联络)

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