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SiC MOSFET

相对于硅基器件,碳化硅(SiC)MOSFET具有更低的导通损耗、更快的开关速度和工作频率,适用于更高效、更紧凑的应用场景。

PDFN8*8 系列碳化硅(SiC)MOSFET

1. 高开关速度,低开关损耗 ;

 

2. 高功率密度和紧凑设计;

 

3. 参数范围:

    VDS:650V/1200V

    ID:8~60A

    RDS(on) :35~320mΩ

Product SKU VDS RDS(on) @25℃ ID VGS Status Data Sheet
ASR35N650MD88 650V 35mΩ 60A 18V Product PDF
ASR60N650MD88 650V 60mΩ 30A 18V Product PDF
ASR320N650MD88 650V 320mΩ 8A 12V Product PDF
ASR50N1200MD88 1200V 50mΩ 60A 18V Product PDF
ASR80N1200MD88 1200V 80mΩ 30A 18V Product PDF
ASR160N1200MD88PB 1200V 160mΩ 20A 15V Product PDF

 


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深圳爱仕特科技有限公司

Shenzhen AST Technology Company

 

 

总部电话:+86 755-89300160
投资事务:赵女士 188 2995 7516

企业邮箱:icey.cong@astsic.com(产品咨询)

                  susie.he@astsic.com(展会及媒体联络)

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