SiC MOSFET
相对于硅基器件,碳化硅(SiC)MOSFET具有更低的导通损耗、更快的开关速度和工作频率,适用于更高效、更紧凑的应用场景。
SOT227 系列碳化硅(SiC)MOSFET
1. 高功率密度和紧凑设计,高开关速度;
2. 高耐压,低导通电阻,高可靠性;
3. 参数范围:
VDS:1200V
ID:100~200A
RDS(on) :8~16mΩ
SiC MOSFET
相对于硅基器件,碳化硅(SiC)MOSFET具有更低的导通损耗、更快的开关速度和工作频率,适用于更高效、更紧凑的应用场景。
SOT227 系列碳化硅(SiC)MOSFET
1. 高功率密度和紧凑设计,高开关速度;
2. 高耐压,低导通电阻,高可靠性;
3. 参数范围:
VDS:1200V
ID:100~200A
RDS(on) :8~16mΩ