SiC MOSFET
相对于硅基器件，碳化硅（SiC）MOSFET具有更低的导通损耗、更快的开关速度和工作频率，适用于更高效、更紧凑的应用场景。
SOT227 系列碳化硅（SiC）MOSFET
1. 高功率密度和紧凑设计，高开关速度；
2. 高耐压，低导通电阻，高可靠性；
3. 参数范围：
VDS：1200V
ID：100~250A
RDS(on) ：7.5~16mΩ
