SiC MOSFET
相对于硅基器件，碳化硅（SiC）MOSFET具有更低的导通损耗、更快的开关速度和工作频率，适用于更高效、更紧凑的应用场景。
TO-220F 系列碳化硅（SiC）MOSFET
1. 高耐压，低导通电阻；
2. 高开关速度，高可靠性 ；
3. 参数范围：
VDS：650V/1700V
ID：1~30A
RDS(on) ：60~10000mΩ
