SiC MOSFET
相对于硅基器件,碳化硅(SiC)MOSFET具有更低的导通损耗、更快的开关速度和工作频率,适用于更高效、更紧凑的应用场景。
TO-220F 系列碳化硅(SiC)MOSFET
1. 高耐压,低导通电阻;
2. 高开关速度,高可靠性 ;
3. 参数范围:
VDS:650V/1700V
ID:1~30A
RDS(on) :60~10000mΩ