SiC MOSFET

相对于硅基器件，碳化硅（SiC）MOSFET具有更低的导通损耗、更快的开关速度和工作频率，适用于更高效、更紧凑的应用场景。

TO-247-3 系列碳化硅（SiC）MOSFET

1. 高开关速度，低开关损耗；

2. 高耐压，低导通电阻，高散热性能；

3. 参数范围：

    VDS：650V/1200V/1700V

    ID：5~100A

    RDS(on) ：12~750mΩ