SiC MOSFET
相对于硅基器件,碳化硅(SiC)MOSFET具有更低的导通损耗、更快的开关速度和工作频率,适用于更高效、更紧凑的应用场景。
TO-247-4i 系列碳化硅(SiC)MOSFET
1. 高开关速度,低开关损耗;
2. 高抗干扰能力;
3. 参数范围:
VDS:1200V/1700V
ID:60~100A
RDS(on) :25~45mΩ