SiC MOSFET

相对于硅基器件，碳化硅（SiC）MOSFET具有更低的导通损耗、更快的开关速度和工作频率，适用于更高效、更紧凑的应用场景。

TO-247-4L 系列碳化硅（SiC）MOSFET

1. 高开关速度，低开关损耗；

2. 优化驱动设计，减少寄生电感影响；

3. 参数范围：

    VDS：1500V/1700V/2000V/3300V

    ID：20~100A

    RDS(on) ：14~160mΩ