SiC MOSFET
相对于硅基器件,碳化硅(SiC)MOSFET具有更低的导通损耗、更快的开关速度和工作频率,适用于更高效、更紧凑的应用场景。
TO-247-4L 系列碳化硅(SiC)MOSFET
1. 高开关速度,低开关损耗;
2. 优化驱动设计,减少寄生电感影响;
3. 参数范围:
VDS:1500V/1700V/2000V/3300V
ID:20~100A
RDS(on) :14~160mΩ
Product SKU | VDS | RDS(on) @25℃ | ID | VGS | Status | Data Sheet |
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ASC30N1500MT4L | 1500V | 60mΩ | 30A | 18V | Product | |
ASC120N1700MT4L | 1700V | 14mΩ | 120A | 15V/18V | Product | |
ASC100N1700MT4L | 1700V | 26mΩ | 100A | 18V | Product | |
ASC40N1700MT4L | 1700V | 72mΩ | 40A | 18V | Product | / |
ASC30N2000MT4PB | 2000V | 88mΩ | 30A | 15V | Product | |
ASC80N3300MT4 | 3300V | 40mΩ | 80A | 18V | Product | / |
ASC20N3300MT4 | 3300V | 160mΩ | 20A | 18V | Product | / |