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SiC MOSFET

相对于硅基器件,碳化硅(SiC)MOSFET具有更低的导通损耗、更快的开关速度和工作频率,适用于更高效、更紧凑的应用场景。

TO-263-7 系列碳化硅(SiC)MOSFET

1. 高功率密度和紧凑设计,高开关速度;

 

2. 高耐压,低导通电阻,高可靠性;

 

3. 参数范围:

    VDS:650V/1200V/1700V

    ID:5~60A

    RDS(on) :38~750mΩ

Product SKU VDS RDS(on) @25℃ ID VGS Status Data Sheet
ASC60N650MT7 650V 38mΩ 60A 18V Product PDF
ASC30N650MT7 650V 60mΩ 30A 18V Product PDF
ASC60N1200MT7 1200V 45mΩ 60A 18V Product PDF
ASC30N1200MT7 1200V 80mΩ 30A 15V Product PDF
ASC20N1200MT7PB 1200V 160mΩ 20A 15V Product PDF
ASC5N1700MT7PB 1700V 750mΩ 5A 12V Product PDF

 


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深圳爱仕特科技有限公司

Shenzhen AST Technology Company

 

 

总部电话:+86 755-89300160
投资事务:赵女士 188 2995 7516

企业邮箱:icey.cong@astsic.com(产品咨询)

                  susie.he@astsic.com(展会及媒体联络)

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