SiC MOSFET

相对于硅基器件，碳化硅（SiC）MOSFET具有更低的导通损耗、更快的开关速度和工作频率，适用于更高效、更紧凑的应用场景。

TOLL 系列碳化硅（SiC）MOSFET

1. 高功率密度和紧凑设计；

2. 低热阻与优秀散热能力 ；

3. 参数范围：

    VDS：650V/1200V

    ID：20~100A

    RDS(on) ：12~160mΩ