爱仕特第四代SiC MOSFET荣获2025“中国芯”优秀技术创新产品奖
11月14日，2025年“中国芯”优秀产品征集活动结果揭晓。爱仕特自主研发的第四代SiC MOSFET芯片（型号：ASC150N1200MT4）凭借显著的技术创新性与广阔的市场前景，从全国303家企业、410款参选中脱颖而出，获评“优秀技术创新产品”。
▲爱仕特荣获“优秀技术创新产品奖”
▲颁奖现场
“中国芯”评选在工业和信息化部指导下，由中国电子信息产业发展研究院组织举办，自2006年发起以来已成为国内集成电路领域最具影响力的行业盛会之一。爱仕特该款产品的成功研发与量产，标志着我国在高端碳化硅功率器件领域实现从技术追赶到产业自主的关键突破。该芯片基于6英寸平面栅工艺平台，具备优异的电气性能和系统适配性，有效缓解新能源汽车、超充设施等关键领域面临的“卡脖子”问题，助力国内客户实现硅基到碳化硅的平滑升级。
产品核心性能卓越：耐压等级达1200V，单芯片输出电流150A，导通电阻低至10mΩ，可在-40°C至+175°C宽温域稳定运行，全面满足车规要求，并支持15V/18V双驱动电压，兼容现有硅基系统。此外，采用单颗大电流芯片可替代多颗传统MOSFET，有效降低系统复杂度与综合成本。
目前，基于1200V/10mΩ SiC MOSFET芯片的分立器件与模块（最大电流可达1000A）已实现规模化量产与稳定交付。产品在新能源汽车、电动重卡、超充设施、工业控制及eVTOL等前沿市场均取得突破，已成为推动关键领域国产替代的核心力量，展现出强大的市场竞争力。
▲爱仕特第四代SiC MOSFET技术平台
爱仕特ASC150N1200MT4荣获“中国芯”奖项，不仅是企业在功率半导体技术上的重要里程碑，也是中国半导体产业链自主创新与安全可控的有力体现。随着在更多关键领域的持续渗透，这款“中国芯”将为我国产业的高质量发展提供坚实支撑。
