四度蝉联！爱仕特蝉联“中国SiC Fabless十强企业”
12月4日，行家说极光奖颁奖典礼在深圳举行，爱仕特凭借持续的技术创新、领先的市场地位及行业影响力，成功蝉联“中国SiC Fabless十强企业”，达成连续四年上榜的里程碑，充分印证了其在国产碳化硅领域的领军地位。
▲颁奖典礼现场
自2022年首度入选以来，爱仕特已从行业新锐成长为中流砥柱。这连续四年的蝉联荣誉，根植于公司成立八年来在技术创新上的持续深耕，是长期专注所结出的硕果。
如今，爱仕特更是凭借完全自主的第四代SiC MOSFET芯片技术（1200V/10mΩ、1700V/14mΩ、兼容15V/18V驱动），实现关键突破，持续赋能产业升级。
极光见证：实力铸就四年十强路
行家极光奖是第三代半导体行业权威年度评选，从品牌影响力、市场占有率、创新实力及发展潜力等多维度综合评定。“十强企业”蝉联背后，是爱仕特三大核心竞争力的支撑：
- 全链条自主技术：涵盖芯片设计到封装测试，累计申请知识产权超百项，构建坚实的技术壁垒。
- 全场景产品矩阵：量产650V-3300V多电压等级的SiC分立器件（64款MOSFET、8款Diode）及119款功率模块，覆盖新能源汽车、超充桩、光伏储能、服务器电源等主流领域。
- 头部客户规模化落地：产品已获得多家行业头部企业认可并实现批量应用，经受充分的市场验证。
▲爱仕特SiC分立器件产品系列
▲爱仕特SiC功率模块产品系列
硬核基石：从成熟三代到领先四代，定义性能高度
爱仕特持续获奖的硬核基石，源于其贯穿技术代际的可靠产品力。公司成熟的第三代技术平台已得到广泛应用，其1200V 16mΩ/30mΩ/45mΩ/80mΩ及1700V 25mΩ全系列SiC MOSFET，在电驱、OBC、服务器电源、eVTOL、超充桩等领域持续稳定输出。
与此同时，第四代技术实现关键突破。其上月于工信部指导的2025“中国芯”评选中，第四代SiC MOSFET芯片（ASC150N1200MT4）从全国410款产品中脱颖而出，荣获“优秀技术创新产品”大奖。这不仅是国家级认证，更标志着我国在高性能SiC器件领域实现关键自主突破。
目前，基于第四代平台的分立器件与功率模块也已实现规模化量产，与第三代产品共同构成高性能、高可靠的国产功率器件双引擎，为市场提供完备解决方案。
▲爱仕特第四代SiC MOSFET技术平台
向“芯”而行：共筑新能源未来
四载荣誉，新程已启。作为国家级专精特新“小巨人”企业，爱仕特将继续以创新为引擎，深耕碳化硅芯片及功率器件技术，并诚挚携手合作伙伴，在新能源车、光伏储能、工业电源等领域深化协同，共同构建自主可控、开放共赢的新能源“芯”生态，赋能绿色新世界。
