新品发布｜爱仕特新一代三电平SiC模块
爱仕特全新推出I型三电平碳化硅功率模块，搭载自研1200V SiC MOSFET芯片，覆盖HEP工业标准封装，专为1500V光伏、储能等高功率系统打造，助力整机效率、功率密度与可靠性同步升级。
核心亮点
- 自研1200V SiC MOSFET芯片，I 型三电平拓扑，低至4mΩ超低导通电阻。
- 低寄生电感结构，抑制过冲与EMI，系统更稳定。
- 支持高温高频运行，散热压力更小、整机更紧凑。
- 工业标准封装，兼容现有设计，升级不改板、周期更短。
- 车规级工艺+可靠焊接，长期运行更稳定。
主力型号
- ASR4N1200HEP04-X（爱仕特HEP封装，适配Easy3B）
- 1200V / 380A
- RDS(on)@25℃：4mΩ
- 大功率密度、大电流场景首选，适配大功率光伏逆变器、储能PCS
▲ 核心参数
应用价值
- 转换效率更高，发电/放电收益更优
- 开关损耗更低，散热系统大幅简化
- 体积更小、功率密度更高，设备更紧凑
- 兼容现有设计，降低改板成本、缩短开发周期
- 国产自研 + 稳定供应链，交期更短、服务更及时
适用场景
- 光伏逆变器
- 储能PCS
- 直流快充桩
- 固态变压器
- 电机驱动
- 高压直流供电系统
SNEC 2026 上海光伏展
📅 时间：2026.06.03–06.05
📍 展位：国家会展中心（上海）4.1H-A185
欢迎莅临现场，了解三电平 SiC 模块方案、领取资料、申请样品！
▲ 爱仕特参展预告
