爱仕特SiC功率模块产品阵容新增一款62mm工业标准封装新品，突破了硅IGBT技术在62mm封装的功率密度极限，为碳化硅打开了250kW以上中等功率应用的大门，扩展到太阳能、服务器、储能、电动汽车充电桩、牵引以及商用感应电磁炉和功率转换系统等。

 

       模块采用成熟的62mm器件半桥拓扑设计，同时采用了全焊片工艺以及自建不同熔点焊片体系，保证了焊料层的稳定性及可控性，提高了器件的耐温度循环能力；爱仕特62mm模块具有出色的温度循环能力和175°C的连续工作温度（Tvjop），带来出色的系统可靠性。其内部的对称环流设计，使得产品具有更低寄生参数及开关特性。

       该62mm模块搭载爱仕特的SiC MOSFET芯片，可实现极高的电流密度。其极低的开关损耗和导通损耗可以最大限度地减少冷却器件尺寸。在高开关频率下运行时，可使用更小的磁性元件。凭借爱仕特的SiC芯片技术，客户可以设计尺寸更小的逆变器，从而降低整体系统成本。

       采用标准基板和接口的爱仕特62mm模块，可兼容行业内各大主流产品，实现快速替换使用，现有30A/650V、60A/1700V和100A/1700V等型号供选择。

 

爱仕特62mm模块产品阵容