近日，CIAS 2024年度金翎奖颁奖礼在苏州举行。此次评选吸引了超过500家功率半导体企业报名、近350款功率半导体产品参与申报、30万+专业读者在线投票，旨在推动车规级功率半导体产业的快速发展。深圳爱仕特科技有限公司（以下简称“爱仕特”）凭借62mm封装SiC模块突出重围，斩获年度功率器件及模组类“最具创新力产品奖”。

▲金翎奖颁奖礼现场

• 采用半桥拓扑设计，具有高功率密度，允许使用相同的结构尺寸来增加逆变器输出功率

• 全焊片工艺以及自建不同熔点焊片体系的应用，保证了焊料层的稳定性及可控性，提高了器件的耐温度循环能力

• 采用标准基板和接口，可兼容行业内各大主流产品，实现快速替换使用

• 出色的温度循环能力和175°C的连续工作温度（Tvjop）

• 搭载自主研发设计的SiC MOSFET芯片性能优异，提高了功率模块的电流密度以及开关频率

• 降低了开关损耗和导通损耗，减少了无源器件的使用和冷却装置的尺寸

• 降低系统成本、提升系统效率

▲62mm封装SiC模块拓扑图

爱仕特62mm封装SiC模块可实现逆变器的全桥拓扑并联应用。以2个或3个62mm封装模块并联的形式构成单相全桥拓扑或三相桥拓扑，将直流电变成频率、幅值可调的交流电，实现逆变功能。基于该模块内SiC MOSFET的体二极管具有出色的开关特性和反向恢复性能，无需额外搭配二极管器件，更可满足多数场景下的续流要求。

▲62mm封装SiC模块系列