创新竞进 | 爱仕特62mm半桥模块获最具创新力产品奖
近日,CIAS 2024年度金翎奖颁奖礼在苏州举行。此次评选吸引了超过500家功率半导体企业报名、近350款功率半导体产品参与申报、30万+专业读者在线投票,旨在推动车规级功率半导体产业的快速发展。深圳爱仕特科技有限公司(以下简称“爱仕特”)凭借62mm封装SiC模块突出重围,斩获年度功率器件及模组类“最具创新力产品奖”。
▲金翎奖颁奖礼现场
爱仕特62mm封装SiC模块特性:
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采用半桥拓扑设计,具有高功率密度,允许使用相同的结构尺寸来增加逆变器输出功率
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全焊片工艺以及自建不同熔点焊片体系的应用,保证了焊料层的稳定性及可控性,提高了器件的耐温度循环能力
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采用标准基板和接口,可兼容行业内各大主流产品,实现快速替换使用
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出色的温度循环能力和175°C的连续工作温度(Tvjop)
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搭载自主研发设计的SiC MOSFET芯片性能优异,提高了功率模块的电流密度以及开关频率
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降低了开关损耗和导通损耗,减少了无源器件的使用和冷却装置的尺寸
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降低系统成本、提升系统效率
▲62mm封装SiC模块拓扑图
爱仕特62mm封装SiC模块可实现逆变器的全桥拓扑并联应用。以2个或3个62mm封装模块并联的形式构成单相全桥拓扑或三相桥拓扑,将直流电变成频率、幅值可调的交流电,实现逆变功能。基于该模块内SiC MOSFET的体二极管具有出色的开关特性和反向恢复性能,无需额外搭配二极管器件,更可满足多数场景下的续流要求。
▲62mm封装SiC模块电路原理图
爱仕特62mm封装SiC模块突破了硅IGBT技术在62mm封装的功率密度极限,为碳化硅打开了250kW以上中等功率应用的大门,扩展到太阳能、服务器、储能、电动汽车充电桩、牵引以及商用感应电磁炉和功率转换系统等。为满足上述应用领域的需求,公司可响应不同规格的SiC功率模块开发需求,为客户提供高质量的定制化产品服务。
▲62mm封装SiC模块系列