重磅 | 爱仕特已量产3300V/60A高压大电流碳化硅MOSFET
近日，爱仕特已实现3300V/60A碳化硅MOSFET的规模量产和交付。
为满足市场对碳化硅功率器件的更高电压、更高效率、更高功率密度的发展需求，爱仕特成功研制出耐压为3300V、导通电阻为58mΩ、可支持60A电流的碳化硅MOSFET。更高的输出功率，使得基于爱仕特3300V/60A碳化硅MOSFET开发的应用系统具备更高的可靠性。
▲爱仕特3300V/60A碳化硅MOSFET
目前，成功研制出3300V碳化硅MOSFET的国内碳化硅器件厂商仍是寥寥无几，据全网最新公开数据，爱仕特是国内首家实现量产3300V/60A碳化硅MOSFET的厂商。早在2018年，爱仕特已成功研制3300V碳化硅MOSFET样品，而此次3300V/60A碳化硅MOSFET的规模量产，充分体现了爱仕特在碳化硅功率器件领域过硬的正向研发实力，有助于打破国外碳化硅厂商的垄断，在高压大功率电力电子器件领域占领一席之地。
▲爱仕特3300V系列碳化硅MOSFET
相较于硅基IGBT，爱仕特3300V/60A碳化硅MOSFET可以构建更小型、更轻量、更经济的设计，能够更有效地转换能量，并且支持各种终端应用。
产品特点
1. 高耐压能力
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器件的耐压能力高达3300V，远超传统硅基MOSFET和IGBT的耐压水平（900V～1200V）
2. 低导通电阻
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器件具有极低的导通电阻，在18V驱动电压下低至58mΩ，配合低热阻新型TO-247-4L封装设计，可以有效提升电流能力，满足大功率应用需求
3. 高温稳定性
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器件能够在-55°C至175°C的宽温度范围内稳定运行，适用于各种环境条件，提高了应用的灵活性
▲器件在不同结温下的稳定性
4. 高开关速度
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碳化硅材料的电子迁移率比硅高，能够更快地响应外部信号，器件因此具有更高的开关速度，有助于减少开关损耗，提高系统的动态性能
5. 高功率密度
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搭载自主研发的碳化硅MOSFET芯片，器件能够在较小的尺寸下承受更大的电流，提升了功率密度
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新型TO-247-4L封装设计，能够满足器件在现代电力电子系统中日益增长的高功率密度需求，使系统设计更为紧凑和高效
▲自主研发的碳化硅MOSFET芯片
6. 高可靠性
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新型TO-247-4L封装设计使得器件具有更高的爬电距离和间隙、更高的直流母线电压，提供了更高的过压保护裕量，减少了因电压突波导致的损坏风险
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一流的散热性与防潮性能够保证器件在高负载高频率开关条件、潮湿环境下的稳定运行，延长了使用寿命
▲新型TO-247-4L封装尺寸图
产品优势
1. 提高能源效率
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无源储能装置尺寸减小，能在更高开关频率下运行，进一步提升系统效率
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牵引电机谐波损耗减少，有助于提高牵引电机的效率和寿命
2. 实现小型化和轻量化
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器件的高热导率显著降低了其对散热系统的要求，减少了散热组件的尺寸和重量
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更小的散热组件有助于减小系统体积和重量，从而实现电源系统的小型化和轻量化
3. 增强系统可靠性
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在高电压、高开关频率、高温运行条件下，器件具备快速响应能力，确保系统的连续运行不受影响
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器件在各种复杂、恶劣的工作条件下都能保持稳定、可靠的运行状态，减少了维护成本和系统停机时间
4. 降低系统成本
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更小的安装半导体芯片面积，提高系统功率密度的同时，也降低了材料成本
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器件拥有体二极管，无需额外并联二极管，从而减少了物料清单成本（BOM）
5. 拓宽应用领域
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在传统硅基MOSFET和IGBT难以胜任的大功率高端细分领域得到应用，如列车和牵引系统、工业不间断电源、工业电机驱动、重型车辆、智能电网、3300Vac牵引变频器、光伏逆变器、储能电源、高压DC/DC变换器、特种军用车等
爱仕特掌握国内领先的碳化硅核心技术，新一代的碳化硅工艺可降低芯片成本近15%，同等规格下的芯片面积比国内同行小15%—20%，能够为客户创造更大的经济效益。
▲爱仕特“三位一体”模式
