首日即燃！爱仕特携SiC 4.0技术平台亮相上海慕展，硬核实力成全场焦点！
4月15日，全球电子行业盛会——2025慕尼黑上海电子展盛大开幕！
爱仕特以“碳化硅4.0技术平台”为核心，携1200V/10mΩ SiC MOSFET、1700V/16mΩ SiC MOSFET、1200V/1000A SiC功率模块三大“战略新品”亮相N4馆608展位，以极致性能与创新方案，成为全场焦点！这不仅展现了国产碳化硅技术的突破性进展，更标志着第三代半导体进入系统级应用的新纪元。
现场直击
工程师团队与观众深入探讨技术难题
▲展会现场
第四代技术平台
性能突破，定义行业新高度
爱仕特此次重磅推出的第四代碳化硅技术平台，以超高耐压、极低损耗、高效驱动兼容性为核心突破，首日即亮出三款“硬核武器”，全面突破碳化硅功率器件性能极限：
- 兼容性革命：全系产品支持15V/18V双电压驱动，无需更换现有系统电路，即可实现碳化硅升级，降低客户改造成本。
- 芯片级优化：
- 1200V/10mΩ SiC MOSFET：单颗芯片导通电阻低至10mΩ，高效率低损耗的产品特性显著，适用于800V新能源平台。
- 1700V/16mΩ SiC MOSFET：兼顾高耐压与低损耗，为高压应用场景提供极致效率，成为1000V平台、充电桩、储能等应用领域的优选。
- 1200V/10mΩ&1700V/16mΩ SiC MOSFET均采用TO247-4L封装，搭载的第四代芯片已在2024年通过验证并实现批量交付于终端客户。
▲爱仕特第四代 SiC 功率器件
- 模块化赋能：
- 1200V/1000A SiC功率模块：高电流密度设计，助力大功率系统轻量化与高效化；千安级超大电流输出，支持-40℃～175℃宽温域运行，满足工业变频、轨道交通等极端工况需求。
- 1200V/1000A SiC功率模块目前已布局DCS12、MED、HPD三种封装系列。自2025年第二季度起，爱仕特将推出多种封装形态的功率器件产品系列，通过分阶段市场推广精准适配终端客户在封装规格、功率等级等方面的差异化需求。
▲爱仕特第四代 SiC 功率模块
全场景应用方案
从芯片到系统，赋能绿色未来
除核心器件外，爱仕特还展示了新能源汽车及充电桩、绿色能源、工业驱动等领域全套碳化硅功率转换解决方案。
▲爱仕特碳化硅功率转换解决方案
未来已来
爱仕特以全链布局赋能高效能时代
作为碳化硅全产业链布局的国家高新技术企业，爱仕特始终以“技术先行”为战略核心，聚焦第三代半导体前沿领域。当前，公司已完成第四代碳化硅芯片的规模化量产，产品性能与可靠性全面对标国际标杆；同步推进第五代技术的攻坚研发，突破更高功率密度与更低损耗的极限挑战；更以前瞻视野布局第六代技术储备，构建从材料生长、晶圆制造到封装测试的全链技术壁垒。这种“量产一代、研发一代、储备一代”的阶梯式创新模式，正推动爱仕特在碳化硅赛道持续领跑。
面向新能源、智能电网、轨道交通等战略领域，爱仕特以碳化硅芯片、模块及系统级解决方案为技术载体，深度赋能行业变革。未来，爱仕特将持续加大研发投入，以更优质的创新成果，助力客户打造更高效、更可靠、更智能的能源解决方案，为全球碳中和目标贡献“中国芯”力量。在这里，未来已来，爱仕特正以全链实力，书写碳化硅技术的新篇章！
▲爱仕特SiC MOSFET产品系列
▲爱仕特SiC 功率模块产品系列
展会精彩持续
技术专家与观众深入探讨技术难题
本次展会为期三天，爱仕特会将持续为大家呈现精彩内容，在此诚挚邀请各位莅临【N4馆608】展位，共同探索国产碳化硅产品与技术的最新发展，期待与您交流。
▲爱仕特展位指引
